Distribution initiale de phase et enfouissement des domaines d'antiphase lors de la croissance III-Vs/Si (001) - INSA Rennes - Institut National des Sciences Appliquées de Rennes
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Distribution initiale de phase et enfouissement des domaines d'antiphase lors de la croissance III-Vs/Si (001)

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https://hal.science/hal-04282848

Soumis le : lundi 13 novembre 2023-15:57:45

Dernière modification le : jeudi 7 novembre 2024-16:14:04

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Dates et versions

hal-04282848 , version 1 (13-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04282848 , version 1

Citer

A Gilbert, J.-B Rodriguez, M Rio Calvo, M Ramonda, L Cerutti, et al.. Distribution initiale de phase et enfouissement des domaines d'antiphase lors de la croissance III-Vs/Si (001). GdR MatÉpi, Jul 2023, Paris, France. ⟨hal-04282848⟩

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